jinnian金年会成立于2017年10月，总部坐落于深圳市坪山区，是一家集功率半导体器件研发、生产、封装、测试、营销和服务为一体的国家高新技术企业。公司全资控股了穆棱市jinnian金年会，作为公司的生产制造基地。自成立以来，依托丰富的社会资源和专业的经验优势，成功树立了“jinnian金年会”良好的企业形象。经过多年的发展，已成为国内IGBT领域的杰出企业，公司始终秉持“市场主导，创新驱动，重点突破，持续优化，通过更加卓越的产品和服务，获得客户的认可及信赖”的经营理念，强化IGBT芯片设计与应用能力，完善IGBT模块封装能力，同时涉足下一代功率半导体芯片的研发，形成了较为完整的IGBT产业链。
具备完整的IGBT、SiC芯片仿真设计平台，通过不断的与实测结果对比分析，优化模型参数，仿真结果已经能指导产品设计；芯片设计团队均来自于行业领先企业，具有丰富的产品设计及工艺经验，通过和模块设计、模块工艺及应用工程师协同设计，最大程度提高模块功率密度及性能，满足不同应用工况需求。
具备完整的功率模块设计能力，搭建了模块电、磁、热、应力仿真平台，可对模块设计关注的均流、热场、寄生参数等进行联合仿真优化，仿真结果已经指导产品设计并通过试验验证。
关键工艺设备均来自国际一线品牌，通过独特的焊接夹具、键合夹具设计，加严的工艺控制，焊接空洞及键合可靠性均高于行业水平。自动化产线保证了产品一致性，银烧结、超声波焊接及铜线键合等先进工艺的应用保证了产品性能领先。
具备完整的功率模块电学测试及分析能力，制定了模块测试方法及标准，可对不同温度下模块的静态特性、开通、关断、二极管反向恢复、短路、安全工作区等特性进行准确测量。具备模块带载测试平台，可按照客户应用工况及驱动特性进行测试评估，提供模块选型及栅极驱动参数建议。
具备完整的IGBT模块可靠性测试及分析能力，针对不同应用工况制定了相应的加严测试方法及标准。通过对失效模块的分析，芯片及模块设计、材料的优化，模块可靠性优于行业水平。
公司FEA团队均来自于行业领先公司，具有扎实的功率器件基础及丰富的应用分析经验，能够提供多层次的应用分析及系统解决方案。模块、芯片及材料分析能力完整，可进行系统至材料级分析。
公司坚持以“市场主导，创新驱动，重点突破，持续优化，通过更加卓越的产品和服务，获得客户的认可及信赖。”的经营理念向客户提供优质产品及全方位的服务。
经过长期的不懈努力，公司已经在行业内树立了良好的口碑及信誉，赢得了广大客户的信赖和支持。
拥有完整的产品体系，包括IGBT模块、二极管模块，混合SiC模块及全SiC模块，可满足工业控制领域不同电压、电流和拓扑结构的需求。
应用于新能源汽车电机控制器，提供950V及1200V电压等级的IGBT和全SiC模块，已通过AQG324考核，适用于批量装车。
应用于轨道交通车辆的牵引辅助变流器，涵盖1200V及1700V电压等级，900A-1500A的电流范围，并通过超声波焊接和银烧结工艺满足车辆的震动和长寿命要求。
根据智能电网的发电端、输电端、变电端以及用电端的需求开发，涵盖1200V及1700V电压等级，具有安全工作区大和高可靠性的特点。
针对光伏逆变器典型应用拓扑，推出NPC和ANPC三电平模块，内部搭载SiC芯片，提高光伏逆变器的效率和可靠性。
应用风力发电场景，涵盖1200V及1700V电压等级，900A-1500A的电流范围，采用精细沟槽栅IGBT芯片、AlN DBC、超声波焊接、聚酰亚胺涂覆等技术，提高模块可靠性。
应用于储能领域的DC/DC升压、LLC、H桥DC/AC逆变需求，开发功率集成模块（PIM）和SiC MOSFET分立器件，以实现“高安全、低成本、可持续”的发展目标。
针对白色家电的高效化、小型化和易使用的要求，推出650V和1200V的智能功率模块（IPM）和SiC分立器件产品，具有低损耗、高集成度、完善保护和简单驱动等特点。
拥有完整的产品体系，包括IGBT模块、二极管模块，混合SiC模块及全SiC模块，可满足工业控制领域不同电压、电流和拓扑结构的需求。
应用于新能源汽车电机控制器，提供950V及1200V电压等级的IGBT和全SiC模块，已通过AQG324考核，适用于批量装车。
应用于轨道交通车辆的牵引辅助变流器，涵盖1200V及1700V电压等级，900A-1500A的电流范围，并通过超声波焊接和银烧结工艺满足车辆的震动和长寿命要求。
根据智能电网的发电端、输电端、变电端以及用电端的需求开发，涵盖1200V及1700V电压等级，具有安全工作区大和高可靠性的特点。
针对光伏逆变器典型应用拓扑，推出NPC和ANPC三电平模块，内部搭载SiC芯片，提高光伏逆变器的效率和可靠性。
应用风力发电场景，涵盖1200V及1700V电压等级，900A-1500A的电流范围，采用精细沟槽栅IGBT芯片、AlN DBC、超声波焊接、聚酰亚胺涂覆等技术，提高模块可靠性。
应用于储能领域的DC/DC升压、LLC、H桥DC/AC逆变需求，开发功率集成模块（PIM）和SiC MOSFET分立器件，以实现“高安全、低成本、可持续”的发展目标。
针对白色家电的高效化、小型化和易使用的要求，推出650V和1200V的智能功率模块（IPM）和SiC分立器件产品，具有低损耗、高集成度、完善保护和简单驱动等特点。
jinnian金年会资控股穆棱市jinnian金年会。总公司投资3.5亿元，于2017年在黑龙江省穆棱市经济开发区建立了16500平米的生产智造基地，配备了全自动半自动封装产线9条，国内外一线品牌封装及检测设备170余台(套)等齐全的设备，主要经营功率半导体元器件，包括IGBT、PIM、IPM等产品，所有产品质量稳定可靠，均符合国家各项检测标准。
北一全景
北一穆棱工厂项目已被纳入黑龙江十四五项目规划
穆棱生产基地占地面积16500平米，总投资3.5亿元
被认定 2023年黑龙江省数字化(智能) 示范车间
北一半导体深圳总部对穆棱北一工厂100%控股
广东省
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山东省
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浙江省
上海
联系人：庄经理
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