公司成立；

穆棱生产基地产线投产；

34mm、62mm等标准IGBT模块设计开发完成；

自主设计，代工生产的1200V等级首颗IGBT芯片开发成功（1200V 100A），采用沟槽栅＋场截止＋减薄技术，对标友商IGBT4产品，可靠性通过工业级考核。

进行PIM（功率集成）模块设计；

650V等级IGBT芯片流片，首颗150A芯片产出；

1200V等级IGBT模块在逆变焊机、工业变频市场获得小批量订单；

成立SiC芯片开发项目组，进行SiC二极管及MOSFET芯片调研规划；

1200V等级IGBT芯片电流规格不断完善，75A、150A及200A产品释放。

PIM模块产出，可靠性通过工业级考核；

650V等级首颗IGBT芯片可靠性通过工业级考核，75A、100A、200A芯片释放；

1200V等级IGBT模块在逆变焊机、工业变频等领域获得批量订单，产品性能得到客户认可；

针对光伏、白色家电等领域需求，进行EZ 1B、2B及650V IPM模块（智能功率模块）开发；

1200V 20A SiC JBS二极管产出，可靠性通过工业级考核，1200V 40mΩ MOSFET芯片工程批流片。

EZ系列及650V IPM产品可靠性考核测试通过;

基于市场需求，开发新能源汽车电机控制器模块；

基于市场需求，开发1600V 逆导型IGBT芯片，工程批可靠性考核通过；

650V及1200V等级50A、75A、100A及150A PIM模块在感应加热、伺服驱动等领域获得批量订单；

1200V等级SiC JBS芯片谱系完整，电流涉及20A、30A及40A，1200V 17mΩ、30mΩ、80mΩ SiC MOSFET芯片释放。

开发混合SiC模块（Si IGBT＋SiC JBS芯片），满足低损耗领域需求；

1200V SiC JBS二极管及MOSFET分立器件在电源领域获得批量订单；

基于新能源汽车需求开发750V等级大电流IGBT芯片，225A产品工程批结束；

开发650V系列SiC JBS及MOSFET芯片，40A JBS及15mΩ MOSFET芯片释放；

650V及1200V EZ系列产品在光伏领域获得小批量订单，在伺服驱动领域获得批量订单，1600V 40A逆导型IGBT芯片在工业电磁炉应用获批量订单。

开发双面散热模块，风力发电IGBT模块；

1200V 等级SiC MPS芯片开发，浪涌电流达到12倍额定电流；

新能源汽车用750V、1200V等级IGBT及SiC模块获小批量订单；

为保证芯片供货安全及交期，公司流片厂新增加国内积塔半导体及华虹宏力半导体；

650V及1200V精细沟槽栅芯片开发，对标友商IGBT7产品，芯片损耗及面积减小明显。

双面散热及风电模块工艺验证；

公司产品覆盖工业类及汽车类产品；

650V及1200V 沟槽栅SiC MOSFET芯片设计；

具备650V及1200V精细沟槽栅IGBT芯片平台，75A、150A及200A芯片可靠性考核。